采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4680pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4680pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4680pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4680pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4680pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40020EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：165nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8800pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4680pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4680pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4680pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40020EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：165nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8800pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4680pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40020EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：165nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8800pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4680pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4680pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40020EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：165nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8800pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40020EL_GE3
包装方式：卷带（TR）
功率：107W
输入电容：8800pF@25V
漏源电压：40V
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.2V@250µA
连续漏极电流：100A
栅极电荷：165nC@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：CSD18532KCS
功率：250W
栅极电荷：53nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
阈值电压：2.2V@250µA
连续漏极电流：100A
ECCN：EAR99
输入电容：4680pF@30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4680pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4680pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4680pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4680pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4680pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4680pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：CSD18532KCS
功率：250W
栅极电荷：53nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
阈值电压：2.2V@250µA
连续漏极电流：100A
输入电容：4680pF@30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
