品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP5800
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9160pF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":188,"18+":9038,"19+":2000,"20+":19000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7E1R8-40E,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:349W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11340pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM120N06-06_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6495pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ96N20P
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:96A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ144AER-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9020pF@25V
连续漏极电流:575A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":377,"21+":492}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB160N04S3H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP5800
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9160pF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P08-28_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6035pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@12.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ144AE-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9020pF@25V
连续漏极电流:575A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS0D6N03CT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:2.2V@280µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10500pF@15V
连续漏极电流:60A€433A
类型:N沟道
导通电阻:0.62mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P08-28_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6035pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@12.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P08-28_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6035pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@12.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP5800
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9160pF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P08-28_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6035pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@12.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":790,"24+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N04S303ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS0D6N03CT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:2.2V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10500pF@15V
连续漏极电流:60A€433A
类型:N沟道
导通电阻:0.62mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ144AE-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9020pF@25V
连续漏极电流:575A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P08-28_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6035pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@12.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ144AE-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9020pF@25V
连续漏极电流:575A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":377,"21+":492}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB160N04S3H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":188,"18+":9038,"19+":2000,"20+":19000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7E1R8-40E,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:349W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11340pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ144AE-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9020pF@25V
连续漏极电流:575A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":188,"18+":9038,"19+":2000,"20+":19000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7E1R8-40E,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:349W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11340pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ144AER-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9020pF@25V
连续漏极电流:575A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ144AER-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9020pF@25V
连续漏极电流:575A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ144AE-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9020pF@25V
连续漏极电流:575A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":188,"18+":9038,"19+":2000,"20+":19000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7E1R8-40E,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:349W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11340pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":377,"21+":492}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB160N04S3H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ144AE-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9020pF@25V
连续漏极电流:575A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH96N20P
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:盒
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:96A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: