销售单位:个
规格型号(MPN):15N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):15N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C646NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@10V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):15N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):15N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):15N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):15N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C646NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@10V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C646NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@10V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):15N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):15N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):15N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C646NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@10V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):15N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C646NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@10V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C646NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@10V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):15N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):15N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C646NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@10V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C646NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@10V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):15N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):15N10
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:632pF@50V
连续漏极电流:15A
功率:55W
栅极电荷:19.2nC@10V
导通电阻:110mΩ@10A,10V
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C646NT1G
阈值电压:4V@80µA
输入电容:1500pF@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:3.7W€79W
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:5mΩ@16A,10V
栅极电荷:19.2nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):15N10
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:632pF@50V
连续漏极电流:15A
功率:55W
栅极电荷:19.2nC@10V
导通电阻:110mΩ@10A,10V
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: