品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3672
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@25V
连续漏极电流:6.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3672
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@25V
连续漏极电流:6.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3672
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@25V
连续漏极电流:6.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC90N10S5N062ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:3.8V@59µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3275pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC90N10S5N062ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:3.8V@59µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3275pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":18195,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3672-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:144W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1635pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@21A,6V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3672
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
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连续漏极电流:6.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3672
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
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输入电容:1710pF@25V
连续漏极电流:6.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC90N10S5N062ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
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输入电容:3275pF@50V
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类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":18195,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3672-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:144W
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栅极电荷:36nC@10V
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输入电容:1635pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@21A,6V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3672
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
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连续漏极电流:6.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC90N10S5N062ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:3.8V@59µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3275pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3672
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
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输入电容:1710pF@25V
连续漏极电流:6.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3672
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@25V
连续漏极电流:6.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC90N10S5N062ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:3.8V@59µA
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连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC90N10S5N062ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:3.8V@59µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3275pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3672-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:144W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1635pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@21A,6V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3672-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:144W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1635pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@21A,6V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3672
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
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输入电容:1710pF@25V
连续漏极电流:6.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3672
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
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连续漏极电流:6.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@44A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3672
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
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导通电阻:28mΩ@44A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC90N10S5N062ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC90N10S5N062ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:3.8V@59µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3275pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3672
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
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栅极电荷:36nC@10V
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连续漏极电流:6.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3672
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
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输入电容:1710pF@25V
连续漏极电流:6.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3672
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@25V
连续漏极电流:6.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3672
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@25V
连续漏极电流:6.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC90N10S5N062ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:3.8V@59µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3275pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3672
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@25V
连续漏极电流:6.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC90N10S5N062ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:3.8V@59µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3275pF@50V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: