品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0150N80
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12800pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0090N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4739,"22+":26828}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9403-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0150N80
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12800pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0150N80
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12800pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMNR58-30YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.2V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6160pF@15V
连续漏极电流:380A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86361-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12800pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0150N80
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12800pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4739,"22+":26828}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9403-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMNR58-30YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.2V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6160pF@15V
连续漏极电流:380A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86361-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12800pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9403-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9403-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9403-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0090N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4739,"22+":26828}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9403-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0090N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0090N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0090N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1068}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0090N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":64,"16+":7}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFP4310Z
工作温度:-55℃~175℃
功率:278W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7120pF@50V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@77A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0090N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMNR58-30YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.2V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6160pF@15V
连续漏极电流:380A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0090N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMNR58-30YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.2V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6160pF@15V
连续漏极电流:380A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMNR58-30YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.2V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6160pF@15V
连续漏极电流:380A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMNR58-30YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.2V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6160pF@15V
连续漏极电流:380A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86361-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12800pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4739,"22+":26828}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9403-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0090N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: