采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P404ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFK250N10P
工作温度：-55℃~175℃
功率：1250W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：管件
输入电容：16000pF@25V
连续漏极电流：250A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D7N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€205W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12238pF@25V
连续漏极电流：67A€433A
类型：N沟道
导通电阻：0.63mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D7N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€205W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12238pF@25V
连续漏极电流：67A€433A
类型：N沟道
导通电阻：0.63mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D7N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€205W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12238pF@25V
连续漏极电流：67A€433A
类型：N沟道
导通电阻：0.63mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFK250N10P
工作温度：-55℃~175℃
功率：1250W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：管件
输入电容：16000pF@25V
连续漏极电流：250A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P404ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D7N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€205W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12238pF@25V
连续漏极电流：67A€433A
类型：N沟道
导通电阻：0.63mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D7N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€205W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12238pF@25V
连续漏极电流：67A€433A
类型：N沟道
导通电阻：0.63mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P404ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D7N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€205W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12238pF@25V
连续漏极电流：67A€433A
类型：N沟道
导通电阻：0.63mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D7N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€205W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12238pF@25V
连续漏极电流：67A€433A
类型：N沟道
导通电阻：0.63mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：159，"22+"：739，"23+"：3958}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P404ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：159，"22+"：739，"23+"：3958}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P404ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1804}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.5mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P404ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P404ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D7N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€205W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12238pF@25V
连续漏极电流：67A€433A
类型：N沟道
导通电阻：0.63mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D7N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€205W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12238pF@25V
连续漏极电流：67A€433A
类型：N沟道
导通电阻：0.63mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P404ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@340µA
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@340µA
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.5mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D7N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€205W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12238pF@25V
连续漏极电流：67A€433A
类型：N沟道
导通电阻：0.63mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFK250N10P
工作温度：-55℃~175℃
功率：1250W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：管件
输入电容：16000pF@25V
连续漏极电流：250A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P404ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFK250N10P
工作温度：-55℃~175℃
功率：1250W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：管件
输入电容：16000pF@25V
连续漏极电流：250A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D7N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€205W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12238pF@25V
连续漏极电流：67A€433A
类型：N沟道
导通电阻：0.63mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@340µA
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.5mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P404ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D7N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€205W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12238pF@25V
连续漏极电流：67A€433A
类型：N沟道
导通电阻：0.63mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P404ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@340µA
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
