采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D7N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€273W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9281pF@25V
连续漏极电流：51A€430A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S5L1R1ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8250pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM45N25-58-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@20A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D7N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.9W€205W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9230pF@25V
连续漏极电流：65A€420A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S5L1R1ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8250pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1447，"22+"：4900，"23+"：985}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S5L1R1ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8250pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4610TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@50V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S5L1R1ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@90µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8250pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120N10S403ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.5V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10120pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120N10S403ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.5V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10120pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D7N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.9W€205W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9230pF@25V
连续漏极电流：65A€420A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC120N04S6L008ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@90µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7910pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM45N25-58-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@20A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC120N04S6L008ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@90µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7910pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18536KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11430pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM45N25-58-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@20A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4610TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@50V
连续漏极电流：73A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC120N04S6L008ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@90µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7910pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N03S4L02ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.2V@90µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9750pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@90A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM45N25-58-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@20A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S5L1R1ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8250pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK762R6-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：324W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10170pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM45N25-58-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@20A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：612，"22+"：5679}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D7N04CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€273W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9281pF@25V
连续漏极电流：51A€430A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM45N25-58-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@20A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S5L1R1ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8250pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ461EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4710pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18536KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11430pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120N10S403ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.5V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10120pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ461EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4710pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
