首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    工作温度
    行业应用
    漏源电压
    60V
    功率
    包装方式
    类型
    阈值电压
    连续漏极电流
    工作温度: -55℃~175℃
    行业应用: 汽车
    漏源电压: 60V
    功率: 120W
    当前匹配商品:70+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP27P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP80N6F6 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STP80N6F6 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP80N6F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7480pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB25P06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G 起订1600个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G 起订1600个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB25P06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD80N6F6 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD80N6F6 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD80N6F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7480pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@40A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP80N6F6 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP80N6F6 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP80N6F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7480pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB25P06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB25P06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP27P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP27P06 起订25个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP27P06 起订25个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP27P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP80N6F6 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STP80N6F6 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP80N6F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7480pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G 起订2400个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G 起订2400个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB25P06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP27P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD80N6F6 起订5000个装
    ST Mosfet场效应管 STD80N6F6 起订5000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD80N6F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7480pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@40A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP80N6F6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STP80N6F6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP80N6F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7480pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB25P06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB25P06T4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB25P06T4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB25P06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G 起订2400个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G 起订2400个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB25P06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD80N6F6 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD80N6F6 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD80N6F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7480pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@40A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP27P06 起订5个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP27P06 起订5个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP27P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP27P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP27P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP27P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB25P06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP27P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP80N6F6 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STP80N6F6 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP80N6F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7480pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G 起订2400个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G 起订2400个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB25P06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP27P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP80N6F6 起订750个装
    ST Mosfet场效应管 STP80N6F6 起订750个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP80N6F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7480pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP80N6F6 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STP80N6F6 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP80N6F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7480pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧