采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR104AEP-T1-RE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.5W€120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@50V
连续漏极电流：21.1A€90.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR104AEP-T1-RE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.5W€120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@50V
连续漏极电流：21.1A€90.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR104AEP-T1-RE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.5W€120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@50V
连续漏极电流：21.1A€90.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR104AEP-T1-RE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.5W€120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@50V
连续漏极电流：21.1A€90.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR104AEP-T1-RE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.5W€120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@50V
连续漏极电流：21.1A€90.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR104AEP-T1-RE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.5W€120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@50V
连续漏极电流：21.1A€90.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR104AEP-T1-RE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.5W€120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@50V
连续漏极电流：21.1A€90.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR104AEP-T1-RE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.5W€120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@50V
连续漏极电流：21.1A€90.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR104AEP-T1-RE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.5W€120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@50V
连续漏极电流：21.1A€90.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR104AEP-T1-RE3
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@50V
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
连续漏极电流：21.1A€90.5A
类型：N沟道
功率：6.5W€120W
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR104AEP-T1-RE3
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@50V
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
连续漏极电流：21.1A€90.5A
类型：N沟道
功率：6.5W€120W
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR104AEP-T1-RE3
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@50V
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
连续漏极电流：21.1A€90.5A
类型：N沟道
功率：6.5W€120W
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR104AEP-T1-RE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.5W€120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@50V
连续漏极电流：21.1A€90.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR104AEP-T1-RE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.5W€120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@50V
连续漏极电流：21.1A€90.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR104AEP-T1-RE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.5W€120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@50V
连续漏极电流：21.1A€90.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
