品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075023K4S
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@40A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC040SMA120B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:323W
阈值电压:2.6V@2mA
栅极电荷:137nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1990pF@1000V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@40A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC040SMA120B
工作温度:-55℃~175℃
功率:323W
阈值电压:2.7V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:137nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1990pF@1000V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@40A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R0-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:832pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075023K3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@40A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL045N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:291W
阈值电压:4.3V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1870pF@325V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1600,"23+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9615-100E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:182W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6813pF@25V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075023K4S
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@40A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL045N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:291W
阈值电压:4.3V@8mA
栅极电荷:105nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1870pF@325V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075023K4S
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@40A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC040SMA120B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:323W
阈值电压:2.6V@2mA
栅极电荷:137nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1990pF@1000V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@40A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R4-30MLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:51W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:832pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075023K3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@40A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075023K3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@40A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R4-30MLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:51W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:832pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1600,"23+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9615-100E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:182W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6813pF@25V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1600,"23+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9615-100E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:182W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6813pF@25V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R4-30MLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:51W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:832pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:817pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":1100,"18+":7443}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB66NQ03LT,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:93W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R0-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:832pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R4-30MLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:51W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:832pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075023K3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:6V@10mA
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@40A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R4-30MLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:51W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:832pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL045N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:291W
阈值电压:4.3V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1870pF@325V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC040SMA120B
工作温度:-55℃~175℃
功率:323W
阈值电压:2.7V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:137nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1990pF@1000V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@40A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: