采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD530N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@75V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5832NLWFT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€127W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD530N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@75V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C06NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€37W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB530N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@75V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C06NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€37W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD530N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@75V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD530N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@75V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD530N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@75V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C06NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€37W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C06NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€37W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD530N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@75V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C06NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€37W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C06NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€37W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1460}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD530N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@75V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C06NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€37W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1460}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD530N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@75V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C06NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€37W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C06NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€37W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB530N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@75V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD530N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@75V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD530N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@75V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD530N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@75V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD530N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@75V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD530N15N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：887pF@75V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD530N15N3GATMA1
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
漏源电压：150V
功率：68W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：12nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：887pF@75V
导通电阻：53mΩ@18A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1460}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD530N15N3GATMA1
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
漏源电压：150V
功率：68W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：12nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：887pF@75V
导通电阻：53mΩ@18A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C06NTAG
功率：3.1W€37W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：26nC@10V
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：1683pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
