采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1527pF@800V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@16A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1527pF@800V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@16A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1527pF@800V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@16A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：665，"24+"：850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1527pF@800V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@16A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：808}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86367-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4840pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：665，"24+"：850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1527pF@800V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@16A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1527pF@800V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@16A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：665，"24+"：850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1527pF@800V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@16A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：665，"24+"：850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1527pF@800V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@16A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1527pF@800V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@16A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1527pF@800V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@16A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：808}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86367-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4840pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：63mΩ@16A，18V
连续漏极电流：47A
输入电容：1527pF@800V
栅极电荷：46nC@18V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：63mΩ@16A，18V
连续漏极电流：47A
输入电容：1527pF@800V
栅极电荷：46nC@18V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：63mΩ@16A，18V
连续漏极电流：47A
输入电容：1527pF@800V
栅极电荷：46nC@18V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
