采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R022M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：5.7V@12.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2288pF@400V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@41.1A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ48NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€130W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@32A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：322，"20+"：136250，"21+"：25400，"MI+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL3103STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：94W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@34A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB64N25S320ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@64A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R022M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：5.7V@12.3mA
栅极电荷：67nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2288pF@400V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@41.1A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：667}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7619-100B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB200N25N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7100pF@100V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@64A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB200N25N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7100pF@100V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@64A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6Y14-40PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10，8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ48NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€130W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@32A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R022M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：5.7V@12.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2288pF@400V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@41.1A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R5-25YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1093pF@12V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ4C075023B7S
工作温度：-55℃~175℃
功率：278W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：37.8nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@400V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@40A，12V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M9R1-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：16.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2048pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6Y14-40PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10，8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ4C075023B7S
工作温度：-55℃~175℃
功率：278W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：37.8nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@400V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@40A，12V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6Y14-40PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10，8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R022M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：5.7V@12.3mA
栅极电荷：67nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2288pF@400V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@41.1A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90220E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@100V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：21.6mΩ@15A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R5-25YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1093pF@12V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ48NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€130W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@32A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R022M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：5.7V@12.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2288pF@400V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@41.1A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M9R1-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：16.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2048pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M9R1-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：16.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2048pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R022M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：5.7V@12.3mA
栅极电荷：67nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2288pF@400V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@41.1A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ48NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€130W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@32A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB64N25S320ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@64A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R022M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：5.7V@12.3mA
栅极电荷：67nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2288pF@400V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@41.1A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R022M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：5.7V@12.3mA
栅极电荷：67nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2288pF@400V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@41.1A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB200N25N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7100pF@100V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@64A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
