采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL100N8F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.8W€120W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3435pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86350ET80
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8030pF@40V
连续漏极电流：25A€198A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86350ET80
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8030pF@40V
连续漏极电流：25A€198A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL100N8F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.8W€120W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3435pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL100N8F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.8W€120W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3435pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL105N8F7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3475pF@25V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86360-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：253nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14600pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86350ET80
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8030pF@40V
连续漏极电流：25A€198A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86350ET80
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8030pF@40V
连续漏极电流：25A€198A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL100N8F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.8W€120W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3435pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD110N8F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9130pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86350ET80
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8030pF@40V
连续漏极电流：25A€198A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86350ET80
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8030pF@40V
连续漏极电流：25A€198A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH170N8F7-2
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8710pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL105N8F7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3475pF@25V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86350ET80
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8030pF@40V
连续漏极电流：25A€198A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86360-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：253nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14600pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL105N8F7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3475pF@25V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86360-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：253nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14600pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
