品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA96EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD135N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:3.5V@33µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1730pF@40V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@45A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD135N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:3.5V@33µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1730pF@40V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@45A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA96EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD135N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:3.5V@33µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1730pF@40V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@45A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA96EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD135N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:3.5V@33µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1730pF@40V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@45A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA96EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD135N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:3.5V@33µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1730pF@40V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@45A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD135N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:3.5V@33µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1730pF@40V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@45A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD135N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:3.5V@33µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1730pF@40V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@45A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD135N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:3.5V@33µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1730pF@40V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@45A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NWFT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2110,"23+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD135N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:3.5V@33µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1730pF@40V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@45A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA96EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H836NT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€89W
阈值电压:4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@40V
连续漏极电流:15A€74A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: