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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2337ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@1.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ481EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM60061EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：218nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@40V
连续漏极电流：150A
类型：P沟道
导通电阻：6.1mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P08-11L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W€375W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10850pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD50P08-25L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：8.3W€136W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：25.2mΩ@12.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2337ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@1A，4.5V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA81EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：P沟道
导通电阻：17.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM50P08-25L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5350pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@12.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P08-28_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6035pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@12.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2337ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@1A，4.5V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM50P08-25L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5350pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@12.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM60061EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：218nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@40V
连续漏极电流：150A
类型：P沟道
导通电阻：6.1mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P08-28_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6035pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@12.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P08-28_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6035pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@12.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2337ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@1A，4.5V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P08-28_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6035pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@12.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM50P08-25L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5350pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@12.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA81EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：P沟道
导通电阻：17.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P08-11L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W€375W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10850pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P08-25L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5350pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P08-28_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6035pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@12.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD50P08-25L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：8.3W€136W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：25.2mΩ@12.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
