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    ECCN: EAR99
    行业应用: 汽车
    类型: P沟道
    漏源电压: 60V
    当前匹配商品:600+
    商品信息
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    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD08P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@25V

    连续漏极电流:8.83A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@10A,6.2V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD08P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@25V

    连续漏极电流:8.83A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@10A,6.2V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD08P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@25V

    连续漏极电流:8.83A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@10A,6.2V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD08P06PGBTMA1

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@25V

    连续漏极电流:8.83A

    导通电阻:300mΩ@10A,6.2V

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4586pF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4586pF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FQB47P06TM-AM002
    onsemi Mosfet场效应管 FQB47P06TM-AM002

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB47P06TM-AM002

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€160W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SFGQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SFGQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6050SFGQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1293pF@30V

    连续漏极电流:6.1A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5124PLWFTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5124PLWFTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5124PLWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€18W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:260mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5116PLWFTWG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5116PLWFTWG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5116PLWFTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€21W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD09P06PLGBTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD09P06PLGBTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4340,"23+":7043}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD09P06PLGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1099
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM110P06-8M9L_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM110P06-8M9L_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM110P06-8M9L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7450pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34STRRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P06-15L_T4GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P06-15L_T4GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P06-15L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5910pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6250S-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6250S-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6250S-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:920mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:512pF@30V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:155mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P06-15L_T4GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P06-15L_T4GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P06-15L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5910pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP27P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D120-60PX 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D120-60PX 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6D120-60PX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.3W€15W

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:724pF@30V

    连续漏极电流:3A€8A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD08P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@25V

    连续漏极电流:8.83A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@10A,6.2V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5124PLWFTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5124PLWFTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5124PLWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€18W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:260mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB80P06PGATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB80P06PGATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPB80P06PGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:340W

    阈值电压:4V@5.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:173nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5033pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@64A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVC6S5A354PLZT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVC6S5A354PLZT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":2292,"18+":32950,"19+":2}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVC6S5A354PLZT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@20V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1625
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427AEEV-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427AEEV-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3427AEEV-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@30V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD30P06PGBTMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@1.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1535pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@21.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD18P06PGBTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD18P06PGBTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD18P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:18.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@13.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN100EPAX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN100EPAX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN100EPAX

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:616pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD25DP06LMATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD25DP06LMATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":7474,"24+":25000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD25DP06LMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:28W

    阈值电压:2V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@30V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:371
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P06-08L-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110P06-08L-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM110P06-08L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€272W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:240nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9200pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD18P06PGBTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD18P06PGBTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD18P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:18.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@13.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
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