品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2767pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2767pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2767pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2767pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2767pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2767pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2767pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SQM40031EL_GE3
栅极电荷:800nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
功率:375W
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
输入电容:39000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:25mΩ@10A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
输入电容:3400pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_GE3
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:25mΩ@10A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
输入电容:3400pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2361ES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
连续漏极电流:2.8A
导通电阻:177mΩ@2.4A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
输入电容:550pF@30V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5124PLTWG
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:6nC@10V
类型:P沟道
输入电容:250pF@25V
ECCN:EAR99
导通电阻:260mΩ@3A,10V
功率:3W€18W
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:130nC@10V
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:55A
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
输入电容:4500pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P08-25L_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:137nC@10V
导通电阻:25mΩ@10.5A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
ECCN:EAR99
输入电容:5350pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ469EP-T1_GE3
输入电容:5100pF@40V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:32A
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
栅极电荷:155nC@10V
功率:100W
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2303ES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:210pF@25V
导通电阻:170mΩ@1.8A,10V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:6.8nC@10V
类型:P沟道
功率:1.9W
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3427EV-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@30V
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:95mΩ@4.5A,10V
类型:P沟道
连续漏极电流:5.3A
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
输入电容:7000pF@50V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
栅极电荷:190nC@10V
功率:375W
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA403EJ-T1_GE3
功率:13.6W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
栅极电荷:33nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:20mΩ@5A,10V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
输入电容:1880pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4431EY-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
功率:6W
栅极电荷:25nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1265pF@15V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
连续漏极电流:10.8A
导通电阻:30mΩ@6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
功率:68W
导通电阻:7mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
输入电容:11000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_GE3
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:4586pF@30V
类型:P沟道
栅极电荷:108nC@10V
连续漏极电流:52A
ECCN:EAR99
导通电阻:18mΩ@3.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3427AEEV-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@30V
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:95mΩ@4.5A,10V
类型:P沟道
连续漏极电流:5.3A
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SQM120P04-04L_GE3
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:4mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:13980pF@20V
类型:P沟道
功率:375W
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40P10-40L_GE3
输入电容:5540pF@15V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
栅极电荷:144nC@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:38A
ECCN:EAR99
导通电阻:40mΩ@8.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2303ES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:210pF@25V
导通电阻:170mΩ@1.8A,10V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:6.8nC@10V
类型:P沟道
功率:1.9W
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_BE3
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:2030pF@20V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:57nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@18A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2361AEES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
连续漏极电流:2.8A
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:620pF@30V
类型:P沟道
栅极电荷:15nC@10V
ECCN:EAR99
功率:2W
导通电阻:170mΩ@2.4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:32A
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:80V
功率:68W
导通电阻:33mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
输入电容:4500pF@25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
输入电容:7000pF@50V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
栅极电荷:190nC@10V
功率:375W
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: