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    强茂 Mosfet场效应管 PJD50P04-AU_L2_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50P04-AU_L2_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD50P04-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2767pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50P04-AU_L2_000A1 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50P04-AU_L2_000A1 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD50P04-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2767pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50P04-AU_L2_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50P04-AU_L2_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD50P04-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2767pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50P04-AU_L2_000A1 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50P04-AU_L2_000A1 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD50P04-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2767pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50P04-AU_L2_000A1 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50P04-AU_L2_000A1 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD50P04-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2767pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50P04-AU_L2_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50P04-AU_L2_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD50P04-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2767pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50P04-AU_L2_000A1 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50P04-AU_L2_000A1 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD50P04-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2767pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40031EL_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40031EL_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SQM40031EL_GE3

    栅极电荷:800nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    导通电阻:3mΩ@30A,10V

    功率:375W

    连续漏极电流:120A

    ECCN:EAR99

    输入电容:39000pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:60V

    功率:68W

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    输入电容:3400pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_GE3

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:60V

    功率:68W

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    输入电容:3400pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361ES-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361ES-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2361ES-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:60V

    栅极电荷:12nC@10V

    连续漏极电流:2.8A

    导通电阻:177mΩ@2.4A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    输入电容:550pF@30V

    ECCN:EAR99

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5124PLTWG 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5124PLTWG 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5124PLTWG

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:6nC@10V

    类型:P沟道

    输入电容:250pF@25V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:260mΩ@3A,10V

    功率:3W€18W

    连续漏极电流:2.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:130nC@10V

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    连续漏极电流:55A

    功率:68W

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    输入电容:4500pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-25L_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P08-25L_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P08-25L_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:137nC@10V

    导通电阻:25mΩ@10.5A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    输入电容:5350pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ469EP-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ469EP-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ469EP-T1_GE3

    输入电容:5100pF@40V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:32A

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    栅极电荷:155nC@10V

    功率:100W

    导通电阻:25mΩ@10.2A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2303ES-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2303ES-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2303ES-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250µA

    输入电容:210pF@25V

    导通电阻:170mΩ@1.8A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:6.8nC@10V

    类型:P沟道

    功率:1.9W

    连续漏极电流:2.5A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427EV-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427EV-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3427EV-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@30V

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:95mΩ@4.5A,10V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:5.3A

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    导通电阻:10.1mΩ@30A,10V

    输入电容:7000pF@50V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    栅极电荷:190nC@10V

    功率:375W

    连续漏极电流:120A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA403EJ-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA403EJ-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA403EJ-T1_GE3

    功率:13.6W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:10A

    栅极电荷:33nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:20mΩ@5A,10V

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    输入电容:1880pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4431EY-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4431EY-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4431EY-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250µA

    功率:6W

    栅极电荷:25nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:1265pF@15V

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:10.8A

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ409EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ409EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    功率:68W

    导通电阻:7mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    连续漏极电流:60A

    ECCN:EAR99

    输入电容:11000pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_GE3

    功率:83W

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:4586pF@30V

    类型:P沟道

    栅极电荷:108nC@10V

    连续漏极电流:52A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427AEEV-T1_BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427AEEV-T1_BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3427AEEV-T1_BE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@30V

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:95mΩ@4.5A,10V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:5.3A

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120P04-04L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120P04-04L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SQM120P04-04L_GE3

    栅极电荷:330nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:13980pF@20V

    类型:P沟道

    功率:375W

    连续漏极电流:120A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40P10-40L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40P10-40L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40P10-40L_GE3

    输入电容:5540pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    栅极电荷:144nC@10V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:38A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:40mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2303ES-T1_GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2303ES-T1_GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2303ES-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250µA

    输入电容:210pF@25V

    导通电阻:170mΩ@1.8A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:6.8nC@10V

    类型:P沟道

    功率:1.9W

    连续漏极电流:2.5A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_BE3

    功率:83W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    输入电容:2030pF@20V

    阈值电压:2.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:57nC@10V

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:40A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361AEES-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361AEES-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2361AEES-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:2.8A

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:620pF@30V

    类型:P沟道

    栅极电荷:15nC@10V

    ECCN:EAR99

    功率:2W

    导通电阻:170mΩ@2.4A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ479EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ479EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:32A

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:80V

    功率:68W

    导通电阻:33mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    输入电容:4500pF@25V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订1600个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订1600个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    导通电阻:10.1mΩ@30A,10V

    输入电容:7000pF@50V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    栅极电荷:190nC@10V

    功率:375W

    连续漏极电流:120A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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