采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS484EN-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1855pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@35A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@35A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@35A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC100N04S6N022ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3V@32µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2421pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.26mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@35A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y4R4-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：147W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2781pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@35A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@35A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD35N10S3L26ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB35N10S3L26ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：26.3mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：416747，"24+"：36100，"MI+"：3123}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC100N04S6N022ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3V@32µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2421pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.26mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@30V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：416747，"24+"：36100，"MI+"：3123}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC100N04S6N022ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3V@32µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2421pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.26mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2151pF@20V
连续漏极电流：15A€75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@30V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD650P06NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：4V@1.04mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB35N10S3L26ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：26.3mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS484EN-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1855pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS482EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1865pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@16.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC100N04S6N022ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3V@32µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2421pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.26mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS484EN-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1855pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS484EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1855pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD650P06NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：4V@1.04mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS484EN-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1855pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2151pF@20V
连续漏极电流：15A€75A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD650P06NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：4V@1.04mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD35N10S3L26ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD35N10S3L26ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD35N10S3L26ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
