品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9510STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9510STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9510STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
连续漏极电流:8A€30A
类型:N沟道
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9510SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
连续漏极电流:8A€30A
类型:N沟道
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9510STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
连续漏极电流:8A€30A
类型:N沟道
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9510SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
连续漏极电流:8A€30A
类型:N沟道
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
连续漏极电流:8A€30A
类型:N沟道
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9510STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9510PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
连续漏极电流:8A€30A
类型:N沟道
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9510PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9510PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
连续漏极电流:8A€30A
类型:N沟道
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9510STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9510STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9510PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
连续漏极电流:8A€30A
类型:N沟道
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9510SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
连续漏极电流:8A€30A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:3.1W€46W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:8.7nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@30µA
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF9510STRLPBF
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
输入电容:200pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€43W
栅极电荷:8.7nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF9510PBF-BE3
连续漏极电流:4A
输入电容:200pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:8.7nC@10V
类型:P沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
功率:43W
ECCN:EAR99
导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF9510STRLPBF
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
输入电容:200pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€43W
栅极电荷:8.7nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
连续漏极电流:8A€30A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:3.1W€46W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:8.7nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@30µA
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9510SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9510STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9510PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: