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    工作温度: -55℃~175℃
    ECCN: EAR99
    栅极电荷: 10nC@4.5V
    行业应用: 工业
    类型: N沟道
    当前匹配商品:20+
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD220N06L3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:2.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD220N06L3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:2.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD220N06L3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:2.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD220N06L3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:2.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NHT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NHT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":207500,"13+":30000,"14+":74585}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4813NHT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€35.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@12V

    连续漏极电流:7.6A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD220N06L3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:2.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA446CEJW-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA446CEJW-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA446CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:910pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.5mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA446CEJW-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA446CEJW-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA446CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:910pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.5mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA446CEJW-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA446CEJW-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA446CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:910pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.5mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA446CEJW-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA446CEJW-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA446CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:910pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.5mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA446CEJW-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA446CEJW-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA446CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:910pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.5mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":1786}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD220N06L3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:2.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1193
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":3908,"09+":10547}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4813NH-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€35.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:940pF@12V

    连续漏极电流:7.6A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2004
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NHT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NHT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":207500,"13+":30000,"14+":74585}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4813NHT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€35.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@12V

    连续漏极电流:7.6A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1293
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD220N06L3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:2.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD220N06L3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:2.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD220N06L3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:2.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA446CEJW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA446CEJW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA446CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:910pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.5mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA446CEJW-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA446CEJW-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA446CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:910pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.5mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA446CEJW-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA446CEJW-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA446CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:910pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.5mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD220N06L3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:2.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD220N06L3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:36W

    阈值电压:2.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA446CEJW-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA446CEJW-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA446CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:910pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.5mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":3908,"09+":10547}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4813NH-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€35.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:940pF@12V

    连续漏极电流:7.6A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"08+":3908,"09+":10547}

    规格型号(MPN):NTD4813NH-35G

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:13mΩ@30A,10V

    输入电容:940pF@12V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:7.6A€40A

    栅极电荷:10nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    功率:1.27W€35.3W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD220N06L3GATMA1

    阈值电压:2.2V@11µA

    包装方式:卷带(TR)

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:36W

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:22mΩ@30A,10V

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1 起订7500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1 起订7500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD220N06L3GATMA1

    阈值电压:2.2V@11µA

    包装方式:卷带(TR)

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:36W

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:22mΩ@30A,10V

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"08+":3908,"09+":10547}

    规格型号(MPN):NTD4813NH-35G

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:13mΩ@30A,10V

    输入电容:940pF@12V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:7.6A€40A

    栅极电荷:10nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    功率:1.27W€35.3W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD220N06L3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"23+":1786}

    规格型号(MPN):IPD220N06L3GATMA1

    阈值电压:2.2V@11µA

    包装方式:卷带(TR)

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:36W

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:22mΩ@30A,10V

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

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