采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R7-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3954pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：350}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI80N04S403AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：94W
阈值电压：4V@53µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5260pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB070AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：15A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R7-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3954pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF60R217
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB070AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：15A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：25，"21+"：950，"22+"：200}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA029N06NXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：3.3V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5125pF@30V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@84A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3174，"23+"：8866}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC100N08S5N034ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.8V@78µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4559pF@40V
连续漏极电流：132A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR6215TRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@6.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR6215TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@6.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S403ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：94W
阈值电压：4V@53µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5260pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR6215TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@6.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：563}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S403ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：94W
阈值电压：4V@53µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5260pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4173pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF60R217
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R7-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3954pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF60R217
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S403ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：94W
阈值电压：4V@53µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5260pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S403ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：94W
阈值电压：4V@53µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5260pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2546，"23+"：980，"24+"：1534}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF6215
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@6.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR6215TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@6.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF60R217
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB070AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：15A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R7-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3954pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2645}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF60B217
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2230pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4173pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR6215TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：295mΩ@6.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6824NLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€90W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@25V
连续漏极电流：8.5A€41A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2645}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF60B217
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2230pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF6215S
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@6.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
