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    ECCN: EAR99
    包装方式: 散装
    类型: N沟道
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    当前匹配商品:20+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":30282,"MI+":6000}

    包装规格(MPQ):486psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:5512pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:584
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6413ANG
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6413ANG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":1085}

    包装规格(MPQ):268psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP6413ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@42A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":30282,"MI+":6000}

    包装规格(MPQ):486psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:5512pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD123PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD123PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD123PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@780mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD123PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD123PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD123PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@780mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N10 起订489个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N10 起订489个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):489psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF19N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:13.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:489
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N10
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1000,"19+":1000}

    包装规格(MPQ):489psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF19N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:13.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:589
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N10
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1000,"19+":1000}

    包装规格(MPQ):489psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF19N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:13.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N10
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":860}

    包装规格(MPQ):489psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF19N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:13.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:589
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":30282,"MI+":6000}

    包装规格(MPQ):486psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:5512pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD123PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD123PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD123PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@780mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N10
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":860}

    销售单位:

    包装规格(MPQ):489psc

    规格型号(MPN):FQPF19N10

    导通电阻:100mΩ@6.8A,10V

    类型:N沟道

    栅极电荷:25nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:13.6A

    功率:38W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":30282,"MI+":6000}

    销售单位:

    包装规格(MPQ):486psc

    规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ

    栅极电荷:111nC@10V

    功率:263W

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:100A

    输入电容:5512pF@50V

    阈值电压:4V@1mA

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6413ANG
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6413ANG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":1085}

    销售单位:

    包装规格(MPQ):268psc

    规格型号(MPN):NTP6413ANG

    导通电阻:28mΩ@42A,10V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    栅极电荷:51nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    漏源电压:100V

    输入电容:1800pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

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