品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":665,"19+":926,"MI+":615}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF8D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€35W
阈值电压:4V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2475pF@50V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@76A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA80N10T
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3040pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP100N10S305AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:176nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11570pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ570EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V€600pF@25V
连续漏极电流:15A€9.5A
类型:N和P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS1D6N10MCTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€291W
阈值电压:4V@650µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7630pF@50V
连续漏极电流:36A€273A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ18N10S5L420ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@8µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB6413ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@42A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N10S402ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.5V@275µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14600pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLS4030TRL7PP
工作温度:-55℃~175℃
功率:370W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11490pF@50V
连续漏极电流:190A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@110A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70N10S312ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA68EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:92mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTG014N10NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€375W
阈值电压:3.8V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:211nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16000pF@50V
连续漏极电流:37A€366A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@150A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR540ZTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@21A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD122N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@50V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@46A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB025N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.5V@275µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:206nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14800pF@50V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86150ET100
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€187W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4065pF@50V
连续漏极电流:16A€128A
类型:N沟道
导通电阻:4.85mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":979}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€214W
阈值电压:3.8V@146µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8200pF@50V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86150ET100
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€187W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4065pF@50V
连续漏极电流:16A€128A
类型:N沟道
导通电阻:4.85mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC070N10NS5SCATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:3.8V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@50V
连续漏极电流:14A€82A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF8D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€35W
阈值电压:4V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2475pF@50V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@76A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL540NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€140W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTG014N10NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€375W
阈值电压:3.8V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:211nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16000pF@50V
连续漏极电流:37A€366A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@150A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP100N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:208W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7300pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N10S406ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y12-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5067pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD15P10PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:128W
阈值电压:2.1V@1.54mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1280pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:240mΩ@10.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N10S402ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.5V@275µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14600pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7769L1TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11560pF@25V
连续漏极电流:20A€124A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@74A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: