品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2303ES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:210pF@25V
导通电阻:170mΩ@1.8A,10V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:6.8nC@10V
类型:P沟道
功率:1.9W
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DY
输入电容:1604pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:8.8A
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
功率:2.5W
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA403EJ-T1_GE3
功率:13.6W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
栅极电荷:33nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:20mΩ@5A,10V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
输入电容:1880pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4431EY-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
功率:6W
栅极电荷:25nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1265pF@15V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
连续漏极电流:10.8A
导通电阻:30mΩ@6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2303ES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:210pF@25V
导通电阻:170mΩ@1.8A,10V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:6.8nC@10V
类型:P沟道
功率:1.9W
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90P03P404ATMA2
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:130nC@10V
导通电阻:4.5mΩ@90A,10V
输入电容:10300pF@25V
功率:137W
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
阈值电压:4V@253µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD042P03L3GATMA1
阈值电压:2V@270µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:70A
输入电容:12400pF@15V
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
栅极电荷:175nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:4.2mΩ@70A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4431EY-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
功率:6W
栅极电荷:25nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1265pF@15V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
连续漏极电流:10.8A
导通电阻:30mΩ@6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DY
输入电容:1604pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:8.8A
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
功率:2.5W
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3495EV-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:5W
阈值电压:1.4V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:21mΩ@5A,4.5V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
输入电容:3950pF@20V
栅极电荷:41nC@4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9435A
漏源电压:30V
栅极电荷:14nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@5.3A,10V
连续漏极电流:5.3A
功率:2.5W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:528pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":2552,"MI+":1827}
规格型号(MPN):SPD50P03LGBTMA1
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:7mΩ@50A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
功率:150W
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
输入电容:6880pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":2000}
规格型号(MPN):IPD068P03L3GATMA1
栅极电荷:91nC@10V
阈值电压:2V@150µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:70A
输入电容:7720pF@15V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:6.8mΩ@70A,10V
功率:100W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ403BEEP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
功率:68W
栅极电荷:164nC@10V
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":12180}
规格型号(MPN):IPD90P03P4L04ATMA1
阈值电压:2V@253µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:137W
输入电容:11300pF@25V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
栅极电荷:160nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:4.1mΩ@90A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"19+":340,"22+":2415,"23+":107398,"24+":2099,"MI+":16015}
规格型号(MPN):IPD50P03P4L11ATMA2
导通电阻:10.5mΩ@50A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:3770pF@25V
阈值电压:2V@85µA
功率:58W
栅极电荷:55nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ433EP-T1_GE3
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:75A
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
栅极电荷:108nC@10V
输入电容:4877pF@15V
ECCN:EAR99
导通电阻:8.1mΩ@16A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD403
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:5300pF@15V
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@20A,20V
功率:2.5W€90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
连续漏极电流:15A€70A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90P03P4L04ATMA2
阈值电压:2V@253µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:137W
输入电容:11300pF@25V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
栅极电荷:160nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:4.1mΩ@90A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU45P03A-TP
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:40nC@10V
连续漏极电流:45A
输入电容:2152pF@15V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:7mΩ@20A,20V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA403EJ-T1_GE3
功率:13.6W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
栅极电荷:33nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:20mΩ@5A,10V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
输入电容:1880pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFWS015P03P8ZTAG
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:7.5mΩ@12A,10V
功率:3.2W€88.2W
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
ECCN:EAR99
输入电容:2706pF@15V
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:17A€88.6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80P03P4L07ATMA2
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:80nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@130µA
类型:P沟道
导通电阻:6.8mΩ@80A,10V
功率:88W
输入电容:5700pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90P03P4L04ATMA2
阈值电压:2V@253µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:137W
输入电容:11300pF@25V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
栅极电荷:160nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:4.1mΩ@90A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40031EL_GE3
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
类型:P沟道
输入电容:15000pF@25V
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3457EV-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:65mΩ@6A,10V
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:6.8A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:21nC@10V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
输入电容:705pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":707,"13+":266,"9999":500,"17+":65}
规格型号(MPN):IPP45P03P4L11AKSA1
漏源电压:30V
输入电容:3770pF@25V
阈值电压:2V@85µA
连续漏极电流:45A
功率:58W
栅极电荷:55nC@10V
导通电阻:11.1mΩ@45A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
包装方式:管件
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40031EL_GE3
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
类型:P沟道
输入电容:15000pF@25V
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":519}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80P03P4L04ATMA2
阈值电压:2V@253µA
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:137W
输入电容:11300pF@25V
导通电阻:4.4mΩ@80A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
栅极电荷:160nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ131EL-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:280A
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
功率:600W
输入电容:33050pF@15V
ECCN:EAR99
栅极电荷:731nC@10V
导通电阻:1.4mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: