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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：630，"24+"：1800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPTG210N25NM3FDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€375W
阈值电压：4V@267µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@125V
连续漏极电流：7.7A€77A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@69A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：630，"24+"：1800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPTG210N25NM3FDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€375W
阈值电压：4V@267µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@125V
连续漏极电流：7.7A€77A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@69A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：IPTG210N25NM3FDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€375W
阈值电压：4V@267µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@125V
连续漏极电流：7.7A€77A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@69A，10V
漏源电压：250V
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规格型号(MPN)：IPTG210N25NM3FDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€375W
阈值电压：4V@267µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@125V
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：IPTG210N25NM3FDATMA1
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阈值电压：4V@267µA
ECCN：EAR99
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类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@69A，10V
漏源电压：250V
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导通电阻：21mΩ@69A，10V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€375W
阈值电压：4V@267µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@125V
连续漏极电流：7.7A€77A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@69A，10V
漏源电压：250V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€375W
阈值电压：4V@267µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@125V
连续漏极电流：7.7A€77A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@69A，10V
漏源电压：250V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPTG210N25NM3FDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€375W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：7.7A€77A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@69A，10V
漏源电压：250V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPTG210N25NM3FDATMA1
功率：3.8W€375W
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：81nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@69A，10V
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