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    ECCN: EAR99
    类型: 2N沟道(双)
    当前匹配商品:1800+
    商品信息
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    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5866A-AU_R2_000A1 起订2个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5866A-AU_R2_000A1 起订2个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5866A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W€68.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1574pF@25V

    连续漏极电流:7A€40A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:17mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLWFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLWFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€125W

    阈值电压:2.2V@98µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2546pF@25V

    连续漏极电流:21A€111A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L08AATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L08AATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N04S4L08AATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:54W

    阈值电压:2.2V@22µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3050pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ914EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ914EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ914EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:12mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM150NB04DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1135pF@20V

    连续漏极电流:9A€39A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC155N06NDATMA1 起订510个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC155N06NDATMA1 起订510个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":35000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC155N06NDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@20µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@30V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC155N06NDATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC155N06NDATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC155N06NDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@20µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@30V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD5C674NLT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD5C674NLT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFD5C674NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€37W

    阈值电压:2.2V@25µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:11A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:14.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L26AATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L26AATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L26AATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.2V@10µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1430pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:26mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S2L35ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S2L35ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S2L35ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2V@27µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:790pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@15A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9945BEY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9945BEY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ9945BEY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:64mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@28µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4020pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L08ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L08ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N04S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:54W

    阈值电压:2.2V@22µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3050pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C680NLWFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C680NLWFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C680NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€19W

    阈值电压:2.2V@13µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:7.5A€26A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N10S4L35ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N10S4L35ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N10S4L35ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:2.1V@16µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1105pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@28µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4020pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB70EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB70EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB70EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@25V

    连续漏极电流:11.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:95mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB60EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB60EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB60EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPDQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPDQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4011SPDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:11.1A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L14AATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L14AATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L14AATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:2.2V@20µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2890pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:13.7mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C672NLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C672NLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C672NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€45W

    阈值电压:2.2V@30µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:793pF@25V

    连续漏极电流:12A€49A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD6H840NLWFT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD6H840NLWFT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD6H840NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@96µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2002pF@40V

    连续漏极电流:14A€74A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4011SPD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:11.1A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9945BEY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9945BEY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ9945BEY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:64mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD6H840NLWFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD6H840NLWFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD6H840NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@96µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2002pF@40V

    连续漏极电流:14A€74A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912DEP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912DEP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ912DEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.3mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7K5R1-30E,115 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7K5R1-30E,115 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7K5R1-30E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2352pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N10S4L35AATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N10S4L35AATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N10S4L35AATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:2.1V@16µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1105pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L18AATMA1 起订940个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L18AATMA1 起订940个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":817,"23+":14388,"24+":18556}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N04S4L18AATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:26W

    阈值电压:2.2V@8µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1071pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ912BEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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