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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：42200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9435A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：528pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1277}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8832
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：265nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@15V
连续漏极电流：34A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9435A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：528pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935A
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1233pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6670A
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1755pF@15V
连续漏极电流：15A€66A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFWS015P03P8ZTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€88.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2706pF@15V
连续漏极电流：17A€88.6A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935A
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1233pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：886，"23+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935A
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1233pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：886，"23+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935A
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1233pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8860
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12585pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935A
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1233pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：42200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9435A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：528pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935A
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1233pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9435A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：528pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6670A
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1755pF@15V
连续漏极电流：15A€66A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935A
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1233pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1826，"23+"：14095}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6670A
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1755pF@15V
连续漏极电流：15A€66A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9435A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：528pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6612A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€36W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：9.5A€30A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6612A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€36W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：9.5A€30A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6294
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9400A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8860
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12585pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9435A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：528pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935A
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1233pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6685
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1715pF@15V
连续漏极电流：11A€40A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
