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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS015N04CTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€23W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.4A€27A
类型：N沟道
导通电阻：17.3mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2880，"20+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C478NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€23W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS015N04CTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€23W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.4A€27A
类型：N沟道
导通电阻：17.3mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
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连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS015N04CTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€23W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.4A€27A
类型：N沟道
导通电阻：17.3mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C478NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€23W
阈值电压：3.5V@20µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS015N04CTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€23W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.4A€27A
类型：N沟道
导通电阻：17.3mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS015N04CTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€23W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.4A€27A
类型：N沟道
导通电阻：17.3mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：14940}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS010N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€32W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：12A€38A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2880，"20+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：14940}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS010N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€32W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：12A€38A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C478NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€23W
阈值电压：3.5V@20µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C478NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€23W
阈值电压：3.5V@20µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
