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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C612NT1G-TE 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C612NT1G-TE 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C612NT1G-TE

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€170W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4830pF@25V

    连续漏极电流:35A€230A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86566-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB47P06TM-AM002 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB47P06TM-AM002 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB47P06TM-AM002

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€160W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SVD2955T4G 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 SVD2955T4G 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SVD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5426NG 起订228个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5426NG 起订228个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":31714,"MI+":7000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP5426NG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:215W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5800pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@60A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86566-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G 起订99个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G 起订99个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF3055-100T1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFP50N06 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFP50N06 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFP50N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:131W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:150nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:2020pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD32N06-1G 起订1336个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD32N06-1G 起订1336个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":3175}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD32N06-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€93.75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1725pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS0D7N06CTXG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS0D7N06CTXG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS0D7N06CTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€294.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:152nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11535pF@30V

    连续漏极电流:60.5A€464A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.72mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86563-F085 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86563-F085 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86563-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:169nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10300pF@30V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C612NT1G-TE 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C612NT1G-TE 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C612NT1G-TE

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€170W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4830pF@25V

    连续漏极电流:35A€230A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS0D7N06CTXG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS0D7N06CTXG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS0D7N06CTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€294.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:152nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11535pF@30V

    连续漏极电流:60.5A€464A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.72mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP20N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86563-F085 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86563-F085 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86563-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:163nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10100pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.88W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD3055-150T4G-VF01 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD3055-150T4G-VF01 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD3055-150T4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€28.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.88W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86563-F085 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86563-F085 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86563-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:163nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10100pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP27P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS0D7N06CTXG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS0D7N06CTXG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€294.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:152nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11535pF@30V

    连续漏极电流:60.5A€464A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.72mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF035N06B-F154 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF035N06B-F154 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF035N06B-F154

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:99nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8030pF@30V

    连续漏极电流:88A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@88A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB13AN06A0 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB13AN06A0 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB13AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@25V

    连续漏极电流:10.9A€62A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@62A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF3055-100T1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86561-F085 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86561-F085 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86561-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:429W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13650pF@30V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD10AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@25V

    连续漏极电流:11A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD10AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@25V

    连续漏极电流:11A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0150N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0150N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0150N60

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:169nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10300pF@30V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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