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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H801NLT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H801NLT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H801NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€167W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5126pF@40V

    连续漏极电流:24A€160A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034EL_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034EL_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM50034EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUT165N08S5N029ATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUT165N08S5N029ATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUT165N08S5N029ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:3.8V@108µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6370pF@40V

    连续漏极电流:165A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0630N150 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0630N150 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0630N150

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5805pF@75V

    连续漏极电流:169A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@80A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-13L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3590pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI7446GPBF 起订406个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI7446GPBF 起订406个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI7446GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:40.5W

    阈值电压:3.9V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3199pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@48A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86210-F085 起订116个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86210-F085 起订116个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1247,"22+":1386}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86210-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5805pF@75V

    连续漏极电流:169A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@80A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034EL_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034EL_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM50034EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H801NLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H801NLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6H801NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€167W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5126pF@40V

    连续漏极电流:24A€160A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50034EL_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50034EL_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50034EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI7446GPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI7446GPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI7446GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:40.5W

    阈值电压:3.9V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3199pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@48A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONS62614T 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AONS62614T 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS62614T

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.5W€142W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3660pF@30V

    连续漏极电流:39A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H801NLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H801NLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6H801NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€167W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5126pF@40V

    连续漏极电流:24A€160A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI100N04S4H2AKSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI100N04S4H2AKSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":16500,"17+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPI100N04S4H2AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:4V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7180pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB100N04S4H2ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB100N04S4H2ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1500,"22+":1900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:4V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7180pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H801NLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H801NLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6H801NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€167W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5126pF@40V

    连续漏极电流:24A€160A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP86N20T 起订100个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP86N20T 起订100个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP86N20T

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:480W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:86A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@500mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-13L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3590pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86210-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86210-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1247,"22+":1386}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86210-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5805pF@75V

    连续漏极电流:169A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@80A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0630N150 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0630N150 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":1600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0630N150

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5805pF@75V

    连续漏极电流:169A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@80A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50034EL_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50034EL_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50034EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB100N04S4H2ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB100N04S4H2ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:4V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7180pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-13L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3590pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-13L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3590pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H801NLWFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H801NLWFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H801NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€167W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5126pF@40V

    连续漏极电流:24A€160A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOT266L 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOT266L 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT266L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€268W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5650pF@30V

    连续漏极电流:18A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H801NLWFT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H801NLWFT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H801NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€167W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5126pF@40V

    连续漏极电流:24A€160A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB100N04S4H2ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB100N04S4H2ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:4V@70µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7180pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB100N04S4H2ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB100N04S4H2ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB100N04S4H2ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:4V@70µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7180pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-13L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3590pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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