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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：177mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
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ECCN：EAR99
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输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：2.8A
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导通电阻：177mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：2.8A
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导通电阻：177mΩ@2.4A，10V
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阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：2.8A
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输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：2.8A
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阈值电压：2.5V@250µA
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阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：2.8A
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导通电阻：177mΩ@2.4A，10V
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栅极电荷：12nC@10V
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输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：2.8A
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栅极电荷：12nC@10V
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输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：2.8A
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阈值电压：2.5V@250µA
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连续漏极电流：2.8A
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导通电阻：177mΩ@2.4A，10V
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栅极电荷：12nC@10V
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输入电容：550pF@30V
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输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
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阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：177mΩ@2.4A，10V
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阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：12nC@10V
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连续漏极电流：2.8A
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阈值电压：2.5V@250µA
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阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：177mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
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阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：177mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
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输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
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漏源电压：60V
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阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：12nC@10V
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输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：177mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
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阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
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类型：P沟道
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：177mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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导通电阻：177mΩ@2.4A，10V
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