采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@50V
连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@50V
连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y53-100B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1467pF@25V
连续漏极电流：24.8A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@50V
连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@50V
连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2365，"22+"：2744，"23+"：2291}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@50V
连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
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功率：2.8W€65W
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
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漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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功率：2.8W€65W
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类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2365，"22+"：2744，"23+"：2291}
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规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
工作温度：-55℃~175℃
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
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导通电阻：14mΩ@9A，10V
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行业应用：工业,汽车
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功率：2.8W€65W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
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功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@50V
连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
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功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
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输入电容：1290pF@50V
连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2365，"22+"：2744，"23+"：2291}
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规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@50V
连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y53-100B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：24.8A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
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栅极电荷：22nC@10V
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连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@50V
连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y53-100B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1467pF@25V
连续漏极电流：24.8A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BUK7Y53-100B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1467pF@25V
连续漏极电流：24.8A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BUK7Y53-100B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1467pF@25V
连续漏极电流：24.8A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2365，"22+"：2744，"23+"：2291}
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规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
工作温度：-55℃~175℃
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ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y53-100B，115
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功率：85W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：24.8A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@10A，10V
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导通电阻：14mΩ@9A，10V
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功率：2.8W€65W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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功率：2.8W€65W
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栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@50V
连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@50V
连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@50V
连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
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