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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3461EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3461EV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3461EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：19779，"10+"：3442，"23+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD110N02RT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@20V
连续漏极电流：12.5A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3461EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3461EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：19779，"10+"：3442，"23+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD110N02RT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@20V
连续漏极电流：12.5A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3461EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD110N02RT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€110W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@20V
连续漏极电流：12.5A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD110N02R-001G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€110W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：3440pF@20V
连续漏极电流：12.5A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD110N02RT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€110W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@20V
连续漏极电流：12.5A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD110N02RT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€110W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@20V
连续漏极电流：12.5A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：15536，"11+"：2325}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD110N02R-001G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：3440pF@20V
连续漏极电流：12.5A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3461EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：11830}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD110N02RT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@20V
连续漏极电流：12.5A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：3687，"9999"：25，"MI+"：960}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD110N02R-001
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：3440pF@20V
连续漏极电流：12.5A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3461EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：15536，"11+"：2325}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD110N02R-001G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：3440pF@20V
连续漏极电流：12.5A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3461EV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3461EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3461EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3461EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：11830}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD110N02RT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@20V
连续漏极电流：12.5A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3461EV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3461EV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：19779，"10+"：3442，"23+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD110N02RT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@20V
连续漏极电流：12.5A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：19779，"10+"：3442，"23+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD110N02RT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@20V
连续漏极电流：12.5A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3461EV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：15536，"11+"：2325}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD110N02R-001G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：3440pF@20V
连续漏极电流：12.5A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3461EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
