采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD3055L170T4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€28.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@4.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06L-1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10nC@5V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055L170T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€28.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@4.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06L-1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10nC@5V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055L170T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€28.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@4.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06L-1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10nC@5V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055L170T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€28.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@4.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06L-1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42.8W
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栅极电荷：10nC@5V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06L-1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42.8W
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包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD3055L170T4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€28.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@4.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055L170T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€28.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@4.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06L-1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10nC@5V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：42.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06L-1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42.8W
阈值电压：2V@250µA
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包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06L-1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10nC@5V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06L-1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10nC@5V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"9999"：130000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：42.8W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@5V
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输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06L-1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42.8W
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连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：42.8W
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连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：42.8W
阈值电压：2V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06L-1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10nC@5V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06L-1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42.8W
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包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06L-1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10nC@5V
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD3055L170T4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€28.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@4.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD3055L170T4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€28.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@4.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：STD12NF06L-1
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
栅极电荷：10nC@5V
连续漏极电流：12A
漏源电压：60V
功率：42.8W
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
包装方式：管件
输入电容：350pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
