品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€79W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC037N12NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€214W
阈值电压:3.6V@111µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@60V
连续漏极电流:19.2A€163A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP12CN10LGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@50V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@69A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:760pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:760pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD30NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD210
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W€150W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@15V
连续漏极电流:23A€70A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:760pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":15000,"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS6D0N15MC
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€237W
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4815pF@75V
连续漏极电流:18A€128A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@69A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-25MLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3167pF@12V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.81mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€79W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC037N12NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€214W
阈值电压:3.6V@111µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@60V
连续漏极电流:19.2A€163A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":15000,"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS6D0N15MC
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€237W
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4815pF@75V
连续漏极电流:18A€128A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@69A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:760pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R8-30MLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3125pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€79W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:760pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-25MLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3167pF@12V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.81mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€79W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R8-30MLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3125pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-25MLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3167pF@12V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.81mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:760pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC037N12NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€214W
阈值电压:3.6V@111µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@60V
连续漏极电流:19.2A€163A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC037N08NS5TATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3.8V@72µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@40V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:760pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":500,"13+":19200,"14+":500,"21+":1950,"9999":30}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP12CN10LGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@50V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@69A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€79W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4435EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2170pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:760pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4435EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2170pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: