采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA38EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM10250E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@15A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA38EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA38EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA80EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA38EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA38EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA38EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA38EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM10250E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@15A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA38EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA80EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM10250E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@15A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM10250E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@15A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM10250E_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4050pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@15A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA80EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA38EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA80EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA80EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA80EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA80EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA80EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA80EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA80EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
