品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF100B201
工作温度:-55℃~175℃
功率:441W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9500pF@50V
连续漏极电流:192A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@115A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPF014N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.8V@267µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@40V
连续漏极电流:282A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF100S201
工作温度:-55℃~175℃
功率:441W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9500pF@50V
连续漏极电流:192A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@115A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPF014N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.8V@267µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@40V
连续漏极电流:282A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF100B201
工作温度:-55℃~175℃
功率:441W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9500pF@50V
连续漏极电流:192A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@115A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF100B201
工作温度:-55℃~175℃
功率:441W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9500pF@50V
连续漏极电流:192A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@115A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPF014N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.8V@267µA
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@40V
连续漏极电流:282A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF100B201
工作温度:-55℃~175℃
功率:441W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9500pF@50V
连续漏极电流:192A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@115A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP016N08NF2SAKMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:3.8V@267µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@40V
连续漏极电流:35A€196A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF100S201
工作温度:-55℃~175℃
功率:441W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9500pF@50V
连续漏极电流:192A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@115A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF100B201
工作温度:-55℃~175℃
功率:441W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9500pF@50V
连续漏极电流:192A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@115A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPF014N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.8V@267µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@40V
连续漏极电流:282A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF100B201
工作温度:-55℃~175℃
功率:441W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9500pF@50V
连续漏极电流:192A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@115A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF100B201
工作温度:-55℃~175℃
功率:441W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9500pF@50V
连续漏极电流:192A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@115A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF100S201
工作温度:-55℃~175℃
功率:441W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9500pF@50V
连续漏极电流:192A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@115A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF100S201
工作温度:-55℃~175℃
功率:441W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9500pF@50V
连续漏极电流:192A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@115A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF100B201
工作温度:-55℃~175℃
功率:441W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9500pF@50V
连续漏极电流:192A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@115A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB9503L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8320pF@20V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB9503L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8320pF@20V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB9503L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8320pF@20V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB9503L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8320pF@20V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF100S201
工作温度:-55℃~175℃
功率:441W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9500pF@50V
连续漏极电流:192A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@115A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPF014N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.8V@267µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@40V
连续漏极电流:282A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPF014N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.8V@267µA
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@40V
连续漏极电流:282A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1600,"22+":1437}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF100S201
工作温度:-55℃~175℃
功率:441W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9500pF@50V
连续漏极电流:192A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@115A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF100S201
工作温度:-55℃~175℃
功率:441W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9500pF@50V
连续漏极电流:192A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@115A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP016N08NF2SAKMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:3.8V@267µA
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@40V
连续漏极电流:35A€196A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF100S201
工作温度:-55℃~175℃
功率:441W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9500pF@50V
连续漏极电流:192A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@115A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF100B201
工作温度:-55℃~175℃
功率:441W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9500pF@50V
连续漏极电流:192A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@115A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF100B201
工作温度:-55℃~175℃
功率:441W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:255nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9500pF@50V
连续漏极电流:192A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@115A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: