品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50P04P413ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3670pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:12.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2406pF@20V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5832NLWFT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€127W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2406pF@20V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50P04P413ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@85µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3670pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:12.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2406pF@20V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2406pF@20V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2406pF@20V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2406pF@20V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50P04P413ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@85µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3670pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:12.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50P04P413ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@85µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3670pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:12.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50P04P413ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3670pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:12.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2406pF@20V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50P04P413ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@85µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3670pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:12.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50P04P413ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@85µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3670pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:12.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50P04P413ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3670pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:12.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2406pF@20V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2406pF@20V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50P04P413ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3670pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:12.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":40055,"MI+":8001}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50P04P413ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3670pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:12.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50P04P413ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3670pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:12.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2406pF@20V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50P04P413ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3670pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:12.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2406pF@20V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50P04P413ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@85µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3670pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:12.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2406pF@20V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50P04P413ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@85µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3670pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:12.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2406pF@20V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2406pF@20V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4050EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2406pF@20V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: