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    栅极电荷: 20nC@10V
    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 工业
    类型: N沟道
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:3.8V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1009pF@30V

    连续漏极电流:6A€27A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG

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    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04CR RLG
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04CR RLG
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    分类:Mosfet场效应管

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04CR RLG
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04CR RLG
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    分类:Mosfet场效应管

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG

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    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04CR RLG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04CR RLG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM150NB04CR RLG

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    功率:3.1W€56W

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    输入电容:1044pF@20V

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    起购:2500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM300NB06CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG

    连续漏极电流:6A€27A

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    类型:N沟道

    阈值电压:3.8V@250µA

    漏源电压:60V

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    导通电阻:30mΩ@6A,10V

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM150NB04CR RLG

    连续漏极电流:10A€41A

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    漏源电压:40V

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    类型:N沟道

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    ECCN:EAR99

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM150NB04CR RLG

    连续漏极电流:10A€41A

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    漏源电压:40V

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    类型:N沟道

    阈值电压:3.8V@250µA

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    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN026-80YS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN026-80YS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN026-80YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

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    输入电容:1200pF@40V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:27.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:80V

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    库存:

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    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLAFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLAFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C670NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2V@53µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ476EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ476EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ476EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLAFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLAFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C670NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2V@53µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS6D2N06CLTWG
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS6D2N06CLTWG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS6D2N06CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€61W

    阈值电压:2V@53µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:17A€71A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
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