采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP150N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP150N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：51.7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：51.7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：51.7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP150N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：51.7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP150N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：51.7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：51.7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H025LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1477pF@50V
连续漏极电流：51.7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF7647S2TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€41W
阈值电压：5V@50µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@25V
连续漏极电流：5.9A€24A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4787，"23+"：1410，"24+"：4348}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF7647S2TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€41W
阈值电压：5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@25V
连续漏极电流：5.9A€24A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF7647S2TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€41W
阈值电压：5V@50µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@25V
连续漏极电流：5.9A€24A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
