品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S410ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@15µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S410ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S410ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@15µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C08NTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":7500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C08NAT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.51W€25.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@15V
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类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S410ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@15µA
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连续漏极电流:50A
类型:N沟道
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S410ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
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类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C08NTWG
工作温度:-55℃~175℃
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C08NTWG
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C08NTWG
工作温度:-55℃~175℃
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ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C08NTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C08NTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2891,"23+":13175,"MI+":11745}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S410ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C08NAT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.51W€25.5W
阈值电压:2.1V@250µA
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输入电容:1670pF@15V
连续漏极电流:16.4A€52A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2891,"23+":13175,"MI+":11745}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S410ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C08NTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C08NTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
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输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S410ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S410ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@15µA
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包装方式:卷带(TR)
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导通电阻:9.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S410ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@15µA
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栅极电荷:18.2nC@10V
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输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":7500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C08NAT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.51W€25.5W
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栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@15V
连续漏极电流:16.4A€52A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C08NTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
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连续漏极电流:17A
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S410ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):IPD50N04S410ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
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品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S410ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
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栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:50A
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S410ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S410ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:4V@15µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C08NTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C08NTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: