品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C486NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9.8A€24A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y72-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y72-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y72-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
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栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C486NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9.8A€24A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y72-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9.8nC@10V
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输入电容:633pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C486NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:9.8A€24A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C486NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9.8A€24A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C486NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9.8A€24A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y72-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9.8nC@10V
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输入电容:633pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C486NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9.8A€24A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C486NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9.8A€24A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C486NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9.8A€24A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y72-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":53595,"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y72-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C486NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9.8A€24A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C486NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9.8A€24A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y72-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
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连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y72-80EX
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
输入电容:633pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:80V
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工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:72mΩ@5A,10V
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C486NLT4G
连续漏极电流:9.8A€24A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:2.9W€18W
栅极电荷:9.8nC@10V
阈值电压:2.2V@20µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:530pF@25V
导通电阻:16mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y72-80EX
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
输入电容:633pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:9.8nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:72mΩ@5A,10V
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C486NLT4G
连续漏极电流:9.8A€24A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:2.9W€18W
栅极电荷:9.8nC@10V
阈值电压:2.2V@20µA
工作温度:-55℃~175℃
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ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":53595,"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y72-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y72-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y72-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y72-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y72-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y72-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: