品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ403EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS1D2N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€134W
阈值电压:2V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6330pF@20V
连续漏极电流:44A€258A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":568}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2D9N12C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€333W
阈值电压:4V@686µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8894pF@60V
连续漏极电流:18A€210A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@100A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS1D2N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€134W
阈值电压:2V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6330pF@20V
连续漏极电流:44A€258A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ403EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-40YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:194W
阈值电压:2.05V@1mA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7966pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-40YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:194W
阈值电压:2.05V@1mA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7966pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ403EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-40YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:194W
阈值电压:2.05V@1mA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7966pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-40YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:194W
阈值电压:2.05V@1mA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7966pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA170N075T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:360W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:109nC@10V
输入电容:6860pF@25V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-40YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:194W
阈值电压:2.05V@1mA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7966pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-40YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:194W
阈值电压:2.05V@1mA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7966pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-40YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:194W
阈值电压:2.05V@1mA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7966pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1770}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS1D2N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€134W
阈值电压:2V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6330pF@20V
连续漏极电流:44A€258A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA170N075T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:360W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:109nC@10V
输入电容:6860pF@25V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA200N055T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:360W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6800pF@25V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ403EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS1D2N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€134W
阈值电压:2V@180µA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6330pF@20V
连续漏极电流:44A€258A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB7787PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.7V@100µA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4020pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@46A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1770}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS1D2N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€134W
阈值电压:2V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6330pF@20V
连续漏极电流:44A€258A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS1D2N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€134W
阈值电压:2V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6330pF@20V
连续漏极电流:44A€258A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-40YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:194W
阈值电压:2.05V@1mA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7966pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-40YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:194W
阈值电压:2.05V@1mA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7966pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS1D2N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€134W
阈值电压:2V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6330pF@20V
连续漏极电流:44A€258A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1770}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS1D2N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€134W
阈值电压:2V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6330pF@20V
连续漏极电流:44A€258A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ403EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-40YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:194W
阈值电压:2.05V@1mA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7966pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB7787PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.7V@100µA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4020pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@46A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA170N075T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:360W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:109nC@10V
输入电容:6860pF@25V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存: