采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6C3R3-75C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：253nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15800pF@25V
连续漏极电流：181A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@90A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86360-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：253nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14600pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：7993，"MI+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6C2R1-55C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：253nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16000pF@25V
连续漏极电流：228A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@90A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH160N15T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：880W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：253nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH160N15T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：880W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：253nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：7993，"MI+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6C2R1-55C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：253nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16000pF@25V
连续漏极电流：228A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@90A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86360-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：253nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14600pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6C3R3-75C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：253nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15800pF@25V
连续漏极电流：181A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@90A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6C3R3-75C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：253nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15800pF@25V
连续漏极电流：181A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@90A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：7993，"MI+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6C2R1-55C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：253nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16000pF@25V
连续漏极电流：228A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@90A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86360-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：253nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14600pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：7993，"MI+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6C2R1-55C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：253nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16000pF@25V
连续漏极电流：228A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@90A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：7993，"MI+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6C2R1-55C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：253nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16000pF@25V
连续漏极电流：228A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@90A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH160N15T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：880W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：253nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH160N15T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：880W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：253nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"19+"：7993，"MI+"：1600}
规格型号(MPN)：BUK6C2R1-55C，118
输入电容：16000pF@25V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：2.3mΩ@90A，10V
漏源电压：55V
功率：300W
阈值电压：2.8V@1mA
栅极电荷：253nC@10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：228A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB86360-F085
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：110A
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
输入电容：14600pF@25V
栅极电荷：253nC@10V
ECCN：EAR99
功率：333W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86360-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：253nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14600pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86360-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：253nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14600pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
