品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC011N03LSTATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€115W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@15V
连续漏极电流:39A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H801NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€167W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5126pF@40V
连续漏极电流:24A€160A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C468NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C423NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@20V
连续漏极电流:31A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMJS0D8N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€180W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:56A€368A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C453NLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€68W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:23A€107A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010N04LSTATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€167W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9520pF@20V
连续漏极电流:39A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C604NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8900pF@25V
连续漏极电流:287A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL510STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€43W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@3.4A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D6N04CLTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€245W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16013pF@20V
连续漏极电流:78.9A€554.5A
类型:N沟道
导通电阻:0.42mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC011N03LSTATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€115W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:48nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@15V
连续漏极电流:39A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C673NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD60NF55LAT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:40nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL530NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:34nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C604NLT1G-UIL3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8900pF@25V
连续漏极电流:40A€287A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C646NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2164pF@25V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3024}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010N04LSTATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€167W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9520pF@20V
连续漏极电流:39A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D6N04CLTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€245W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16013pF@20V
连续漏极电流:78.9A€554.5A
类型:N沟道
导通电阻:0.42mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C423NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@20V
连续漏极电流:31A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C423NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF3055L108T3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C468NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD5865NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€71W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:10A€46A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@19A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055L104T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€48W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C460NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€50W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:21A€78A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS3D3N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€100W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:40.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:26A€133A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD15N15-95-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W€62W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C670NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:16A€70A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD3055L170T4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€28.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:10nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@4.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: