品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004SK3Q-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.8mΩ@90A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:3.9W€180W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4556pF@30V
栅极电荷:95.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH4011SPSQ-13
功率:2.5W€150W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:1405pF@20V
连续漏极电流:12.9A€100A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:25.5nC@10V
导通电阻:10mΩ@50A,10V
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):DMTH6004SCTB-13
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.7W€136W
连续漏极电流:100A
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4556pF@30V
栅极电荷:95.4nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH4011SK3Q-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:1405pF@20V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
功率:2.6W
栅极电荷:25.5nC@10V
导通电阻:10mΩ@50A,10V
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):DMTH4004SCTB-13
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.7W€136W
输入电容:4305pF@25V
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
功率:2.9W
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124.3nC@10V
输入电容:8952pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004SK3Q-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.8mΩ@90A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:3.9W€180W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4556pF@30V
栅极电荷:95.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004SK3Q-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.8mΩ@90A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:3.9W€180W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4556pF@30V
栅极电荷:95.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6012SPSQ-13
输入电容:1926pF@30V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
栅极电荷:35.2nC@10V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:11mΩ@50A,10V
功率:1.6W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:3.03W
栅极电荷:79.5nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:6968pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.9mΩ@30A,10V
功率:2.9W
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:124.3nC@10V
输入电容:8952pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6012SPSQ-13
输入电容:1926pF@30V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
栅极电荷:35.2nC@10V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:11mΩ@50A,10V
功率:1.6W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H009SPSQ-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
连续漏极电流:14A€86A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:2085pF@50V
功率:1.6W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH4006SPSQ-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:7mΩ@50A,10V
栅极电荷:50.9nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:110A
输入电容:2280pF@25V
阈值电压:4V@250µA
功率:1.6W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4011SPDQ-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:11.1A€42A
输入电容:805pF@20V
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:15mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4005SPSQ-13
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20.9A€100A
栅极电荷:49.1nC@10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
输入电容:3062pF@20V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
功率:2.6W€150W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4011SPD-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:11.1A€42A
输入电容:805pF@20V
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:15mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025SK3-13
栅极电荷:21.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:46.3A
导通电阻:23mΩ@20A,10V
输入电容:1544pF@50V
漏源电压:100V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13
包装方式:卷带(TR)
功率:3.1W
栅极电荷:38.1nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:8mΩ@20A,10V
输入电容:2841pF@30V
连续漏极电流:16.3A€70A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4005SPS-13
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20.9A€100A
栅极电荷:49.1nC@10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
输入电容:3062pF@20V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
功率:2.6W€150W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):DMTH6004SCTBQ-13
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.7W€136W
连续漏极电流:100A
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4556pF@30V
栅极电荷:95.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:3.03W
栅极电荷:79.5nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:6968pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004SK3Q-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.8mΩ@90A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:3.9W€180W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4556pF@30V
栅极电荷:95.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4011SPD-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:11.1A€42A
输入电容:805pF@20V
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:15mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4007SPDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:14.2A
导通电阻:8.6mΩ@17A,10V
类型:2N沟道(双)
输入电容:2026pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8001STLWQ-13
功率:6W€250W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:270A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.7mΩ@30A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:138nC@10V
输入电容:8894pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004SK3-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.8mΩ@90A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:3.9W€180W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4556pF@30V
栅极电荷:95.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4011SPD-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:11.1A€42A
输入电容:805pF@20V
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:15mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6010SK3-13
包装方式:卷带(TR)
功率:3.1W
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:36.3nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1940pF@30V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:8mΩ@20A,10V
连续漏极电流:16.3A€70A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8001STLWQ-13
功率:6W€250W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:270A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.7mΩ@30A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:138nC@10V
输入电容:8894pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存: