品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5890NLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W€107W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4760pF@25V
连续漏极电流:24A€123A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5890NLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W€107W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4760pF@25V
连续漏极电流:24A€123A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5890NLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W€107W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4760pF@25V
连续漏极电流:24A€123A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL260N4LF7
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL260N4LF7
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):STL260N4LF7
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL260N4LF7
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL260N4LF7
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ST
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规格型号(MPN):STL260N4LF7
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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