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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：355000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863NAT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€36.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@12V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5466A1-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1574pF@25V
连续漏极电流：7.4A€48A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5466A1-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1574pF@25V
连续漏极电流：7.4A€48A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€36.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@12V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5466A1-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€100W
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：1574pF@25V
连续漏极电流：7.4A€48A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：28813，"08+"：4320，"10+"：65000，"11+"：41442，"16+"：22500，"12+"：2500，"13+"：11350，"15+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€36.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@12V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5466A1-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€100W
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栅极电荷：13.5nC@4.5V
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输入电容：1574pF@25V
连续漏极电流：7.4A€48A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5466A1-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€100W
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类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：28813，"08+"：4320，"10+"：65000，"11+"：41442，"16+"：22500，"12+"：2500，"13+"：11350，"15+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€36.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@12V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：355000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863NAT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€36.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@12V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863NAT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€36.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@12V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863NAT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€36.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@12V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"14+"：28813，"08+"：4320，"10+"：65000，"11+"：41442，"16+"：22500，"12+"：2500，"13+"：11350，"15+"：5000}
规格型号(MPN)：NTD4863NT4G
功率：1.27W€36.6W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.2A€49A
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
输入电容：990pF@12V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：25V
工作温度：-55℃~175℃
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5466A1-AU_R2_000A1
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：7.4A€48A
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：17mΩ@20A，10V
功率：2.4W€100W
输入电容：1574pF@25V
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5466A1-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1574pF@25V
连续漏极电流：7.4A€48A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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