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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：2974，"10+"：202，"12+"：199，"13+"：564，"14+"：63445，"16+"：7500，"18+"：39000，"19+"：22914，"21+"：27500，"22+"：3872}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4858NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€54.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1563pF@12V
连续漏极电流：11.2A€73A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：22500，"11+"：517500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4865NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€33.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：827pF@12V
连续漏极电流：8.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：2600，"10+"：22000，"MI+"：1060}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：355000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863NAT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€36.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@12V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：1080，"11+"：55889}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4858NAT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€54.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1563pF@12V
连续漏极电流：11.2A€73A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：2600，"10+"：22000，"MI+"：1060}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：2600，"10+"：22000，"MI+"：1060}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€36.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@12V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4855NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.35W€66.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：32.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@12V
连续漏极电流：14A€98A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4858NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€54.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1563pF@12V
连续漏极电流：11.2A€73A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8778
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8796
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：28813，"08+"：4320，"10+"：65000，"11+"：41442，"16+"：22500，"12+"：2500，"13+"：11350，"15+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€36.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@12V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6500，"MI+"：9210}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8778
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4858NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€54.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1563pF@12V
连续漏极电流：11.2A€73A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2500，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4858NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€54.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1563pF@12V
连续漏极电流：11.2A€73A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：2401，"09+"：100000，"10+"：107500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4855NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.35W€66.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@12V
连续漏极电流：14A€98A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：3825，"08+"：47500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4854NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.43W€93.75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@12V
连续漏极电流：15.7A€128A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：2812}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4856NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.33W€60W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2241pF@12V
连续漏极电流：13.3A€89A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6500，"MI+"：9210}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8778
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8796
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：28813，"08+"：4320，"10+"：65000，"11+"：41442，"16+"：22500，"12+"：2500，"13+"：11350，"15+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€36.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@12V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：123500，"12+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4857NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.31W€56.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@12V
连续漏极电流：12A€78A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：2401，"09+"：100000，"10+"：107500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4855NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.35W€66.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@12V
连续漏极电流：14A€98A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2500，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4858NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€54.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1563pF@12V
连续漏极电流：11.2A€73A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：3825，"08+"：47500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4854NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.43W€93.75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@12V
连续漏极电流：15.7A€128A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：3825，"08+"：47500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4854NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.43W€93.75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@12V
连续漏极电流：15.7A€128A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：2974，"10+"：202，"12+"：199，"13+"：564，"14+"：63445，"16+"：7500，"18+"：39000，"19+"：22914，"21+"：27500，"22+"：3872}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4858NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€54.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1563pF@12V
连续漏极电流：11.2A€73A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
